半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202022858654.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214123885U | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN214123885U | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 那雪梅;张文文;喻洋;李吉锋 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李镇江 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包括：衬底；第一外延层，位于衬底上；呈阵列排列的多个掺杂沟槽结构，多个掺杂沟槽结构位于第一外延层中，多个掺杂沟槽结构自第一外延层向衬底延伸；位于第一外延层中的隔离沟槽结构，隔离沟槽结构自第一外延层向衬底延伸，隔离沟槽结构包围多个掺杂沟槽结构；位于第一外延层中的注入区，注入区与多个掺杂沟槽结构电连接。本实用新型的半导体器件提高了器件的浪涌防护能力，降低了器件的钳位电压。 |
