平面功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110029349.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112713194A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112713194A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏志平;叶青青;陈洪雷;赵志涌;朱晓彤 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种平面功率器件及其制造方法。根据本发明的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡区包括自下而上依次堆叠的第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层。根据本发明实施例的平面功率器件及其制造方法，具有精准的接触场板孔的刻蚀停止终点和接触场板下方的刻蚀阻挡区厚度，能够有效地提高平面功率器件的击穿电压，降低导通电阻。 |
