容性二极管组件
基本信息
申请号 | CN201520633924.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN205016525U | 公开(公告)日 | 2016-02-03 |
申请公布号 | CN205016525U | 申请公布日 | 2016-02-03 |
分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 | 申请(专利权)人 | 北京燕东半导体科技有限公司 |
代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;高青 |
地址 | 100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 公开了容性二极管组件。所述容性二极管组件包括:第一导电类型的半导体衬底;位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层,第二导电类型与第一导电类型不同;第一导电类型的隔离区,从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中,从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区,并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开;第一导电类型的第一掺杂区,在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中;第二导电类型的第二掺杂区,在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中;以及导电通道,在第一有源区从外延层表面延伸进入半导体衬底中,使得外延层和半导体衬底彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件,可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。 |
