一种骤回瞬态电压抑制器
基本信息
申请号 | CN202110722838.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113257806A | 公开(公告)日 | 2021-08-13 |
申请公布号 | CN113257806A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 | 申请(专利权)人 | 上海维安半导体有限公司 |
代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 吴轶淳 |
地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种骤回瞬态电压抑制器,属于半导体保护器件领域,包括:外延层形成于衬底上;多个预设区域形成于外延层中且被隔离结构隔离;第一预设区域和第五预设区域包括第一P+区、第一N+区和第二P+区;第二预设区域和第四预设区域包括第二N+区、第三P+区和第三N+区;第三预设区域包括第一P型阱区、第二P型阱区、形成于第二P型阱区内的第四N+区,形成于第一P型阱区内的两个第四P+区和两个第五N+区;介质层形成于外延层的上表面,介质层中包括对应每个P+区和N+区的金属孔;多个金属层形成于每个金属孔中。本发明的有益效果在于:击穿电压和触发电压较低,保护响应更快,导通电阻和钳位电压更小,对后级集成电路的保护能力更强。 |
