一种低触发电压的SCR器件及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202110378050.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113140627A | 公开(公告)日 | 2021-07-20 |
申请公布号 | CN113140627A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;王达;彭阳;周凯 | 申请(专利权)人 | 上海维安半导体有限公司 |
代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 党蕾 |
地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种低触发电压的SCR器件及其制备方法,属于半导体保护器件领域,包括:于一衬底的表面形成外延层;于外延层中依次形成P型掺杂区、N型掺杂区、P型掺杂区和N型掺杂区;分别形成第一N型注入区、第二N型注入区、第三N型注入区、第一P型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区、第五N型注入区和第四P型注入区,第二P型注入区与第一N型掺杂区、第二P型掺杂区耦接;于外延层中形成隔离结构;于外延层的表面沉积介质层,并分别形成对应每个注入区的接触孔;于接触孔中进行金属沉积,并形成金属连线。本技术方案的有益效果在于:具有较低的触发电压,较强的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性。 |
