一种低触发电压的SCR器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110378050.3 申请日 -
公开(公告)号 CN113140627A 公开(公告)日 2021-07-20
申请公布号 CN113140627A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;王达;彭阳;周凯 申请(专利权)人 上海维安半导体有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 党蕾
地址 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低触发电压的SCR器件及其制备方法,属于半导体保护器件领域,包括:于一衬底的表面形成外延层;于外延层中依次形成P型掺杂区、N型掺杂区、P型掺杂区和N型掺杂区;分别形成第一N型注入区、第二N型注入区、第三N型注入区、第一P型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区、第五N型注入区和第四P型注入区,第二P型注入区与第一N型掺杂区、第二P型掺杂区耦接;于外延层中形成隔离结构;于外延层的表面沉积介质层,并分别形成对应每个注入区的接触孔;于接触孔中进行金属沉积,并形成金属连线。本技术方案的有益效果在于:具有较低的触发电压,较强的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性。