一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2020/081888 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021068462A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-15 |
| 申请公布号 | WO2021068462A1 | 申请公布日 | 2021-04-15 |
| 分类号 | H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | ZHAO, DEYI;赵德益;SU, HAIWEI;苏海伟;LV, HAIFENG;吕海凤;JIANG, QIANYUAN;蒋骞苑;ZHANG, XIAO;张啸;WANG, YUN;王允;ZHAO, ZHIFANG;赵志方 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | SHANGHAI EAST ASIA PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD.;上海东亚专利商标代理有限公司 |
| 地址 | No. 1001, Shiwan 7th Road, Zhuqiao Town, Pudong New Area,Shanghai 201202 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。 |
