一种超结型半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202021805759.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213483709U | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN213483709U | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任杰;马治军;苏海伟 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 党蕾 |
| 地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件的制造技术领域，尤其涉及一种超结型半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底上设有多层超结结构；每层超结结构包括具有一第一导电类型杂质的外延层和具有一第二导电类型杂质的填充区交替排列；多层超结结构的杂质浓度自下而上依次增加。本实用新型技术方案具有如下优点或有益效果：提出了一种新型的具有多层次超结结构的半导体器件，可以避免采用深沟槽工艺一次性刻槽引起的明显EMI问题，增强产品的抗电磁干扰能力，此外，本实用新型的超结器件生产成本较低。 |
