一种单向半导体放电管及双向半导体放电管
基本信息
申请号 | CN202022356951.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN213752708U | 公开(公告)日 | 2021-07-20 |
申请公布号 | CN213752708U | 申请公布日 | 2021-07-20 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;范炜盛 | 申请(专利权)人 | 上海维安半导体有限公司 |
代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 党蕾 |
地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及半导体保护器件技术领域,尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管,其中,包括:相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件;其中,包括第一半导体衬底,第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区,第一半导体衬底下表面设置有一预定深度的第二N型掺杂区;一第一TSS器件区域;一第一TVS器件区域设置于第一TSS器件区域的一侧;第一TSS器件区域与第一TVS器件区域通过第一N型掺杂区及第二N型掺杂区实现并联。有益效果:使得形成有二次回归的特性曲线,且使得在小电流情况下由第一TVS器件区域导通,从而有效降低器件残压,进而消除器件浪涌对后端电路的影响,防止后端电路受到残压影响后损坏。 |
