一种瞬态抑制二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110225399.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113013040A | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN113013040A | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/492;H01L23/498;H01L25/07 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王允;杜牧涵;赵德益;赵志方;蒋骞苑;冯星星;李亚文;张光峰;申彦龙;张利明 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 党蕾 |
| 地址 | 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种瞬态抑制二极管及其制备方法，属于半导体过压防护技术领域，包括：步骤S1，提供至少三个芯片，对每一芯片的上表面分别进行植球，形成连接植球；步骤S2，对植球后的所有芯片进行组合预包封，形成一包封体；步骤S3，对包封体、所有芯片的下表面进行研磨处理；步骤S4，对研磨后的芯片进行电镀铜，形成电镀铜层作为芯片载体，并由每一电镀铜层的底面分别引出电极引脚；步骤S5，于包封体中对连接植球的上方进行电镀铜，形成金属铜连接层，以连接预定位置的芯片上表面的连接植球。本技术方案的有益效果在于：采用植球和电镀铜，增加导通面积，寄生电阻降低，导通阻抗显著降低，器件的通流能力和钳位电压都能有显著改善。 |
