一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2020/081887 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021068461A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-15 |
| 申请公布号 | WO2021068461A1 | 申请公布日 | 2021-04-15 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L29/87;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | ZHAO, DEYI;赵德益;SU, HAIWEI;苏海伟;LV, HAIFENG;吕海凤;WANG, YUN;王允;ZHAO, ZHIFANG;赵志方;YE, YUMING;叶毓明;FENG, XINGXING;冯星星;LI, YAWEN;李亚文;WU, QINGQING;吴青青;ZHANG, LIMING;张利明 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | SHANGHAI EAST ASIA PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD.;上海东亚专利商标代理有限公司 |
| 地址 | No. 1001, Shiwan 7th Road, Zhuqiao Town, Pudong New Area,Shanghai 201202 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，通过金属连接将可控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。 |
