一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110363613.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140463A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140463A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;高小丽;严林;彭阳 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 党蕾 |
| 地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种耗尽型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：步骤S1，在衬底上形成第一外延层；步骤S2，生长氧化层，并于第一外延层中形成至少两个柱区；步骤S3，形成第二外延层；步骤S4，形成至少两个阱区；步骤S5，形成深槽；于深槽内及深槽的上表面形成栅氧化层，于深槽和阱区之间形成沟道，于栅氧化层的上表面形成多晶硅层；步骤S6，形成依次相连接的第一N型注入区、第一P型注入区和第二N型注入区；步骤S7，形成一介质层，并形成对应的接触孔；步骤S8，淀积源极金属、栅极金属；步骤S9，进行研磨减薄处理，并形成漏极金属。本技术方案的有益效果在于：导通电阻低、关断时耐压高、漏电流小。 |
