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一种MOSFET的栅极保护电路

基本信息

申请号 CN202022690042.6 申请日 -
公开（公告）号 CN213484746U 公开（公告）日 2021-06-18
申请公布号 CN213484746U 申请公布日 2021-06-18
分类号 H02M1/08（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I;H02M1/44（2007.01）I;H03K17/081（2006.01）I 分类 发电、变电或配电;
发明人 彭国建;郭建军;马治军 申请（专利权）人 上海维安半导体有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 俞涤炯
地址 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路，其中，包括：一驱动信号端，以提供一驱动信号；一启动模块，启动模块的输入端连接至驱动信号端，以根据驱动信号产生一启动电流；一电感，电感的一端连接至启动模块的输出端，电感背向启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端，以抑制瞬间电流尖峰和干扰；一关断模块，输入端连接于所述驱动信号端，所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端，所述关断模块的公共端接地，起到保护MOS管的作用。有益效果：通过将待保护的MOS管的控制端连接电感，从而对电流尖峰和震荡具有抑制作用，使电流变得平滑，起到保护MOS管的作用。