一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110927439.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380787A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380787A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;霍田佳;严林;周凯;彭阳 | 申请（专利权）人 | 上海维安半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 吴轶淳 |
| 地址 | 201323上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：衬底、阱区；阱区包括第一预设区域和第二预设区域，第一预设区域内包括间隔布设的第一掺杂区；第二预设区域包括：场掺杂区，场掺杂区间隔布设于阱区内；第二掺杂区，设置于场掺杂区之间，第二掺杂区的邻边与场掺杂区紧密贴合，且第二掺杂区分别位于每个第一掺杂区的上表面；场氧化层自场掺杂区内形成，且凸出于场掺杂区。本发明技术方案的有益效果在于：同时具有击穿电压低，负阻特性更大的特性，因此具有更低的钳位电压，因此具有超低触发电压和超低钳位电压的特性，保护后级电路的能力更强。 |
