一种金属液态化模式的半导体封装工艺

基本信息

申请号 CN202010140558.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113345799A 公开(公告)日 2021-09-03
申请公布号 CN113345799A 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01L21/027(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄伟瑜 申请(专利权)人 银特(上海)半导体科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 200000上海市崇明区向化镇陈彷公路4925号(上海永冠经济开发区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种金属液态化模式的半导体封装工艺采用晶圆作为芯片的材料,在硅晶片涂上光致抗蚀剂,使得其遇紫外光就会溶解,这是可以用上第一份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,这溶解部分接着可用溶剂将其冲走,这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的等特点。