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一种接近式软膜曝光微纳陷光结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201610489978.8 申请日 -
公开（公告）号 CN106098843A 公开（公告）日 2016-11-09
申请公布号 CN106098843A 申请公布日 2016-11-09
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 涂亮亮;刘亚坤;林建男;魏明德 申请（专利权）人 徐州美兴光电科技有限公司
代理机构 徐州市三联专利事务所 代理人 周爱芳
地址 221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区杨山路98号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种接近式软膜曝光微纳陷光结构的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤：1)硬模板的制备；2)将硬模板图形转换至软模板；3)将太阳能电池硅片进行预清洗，去除表面损伤层；4)在清洗后硅片表面涂覆感光胶；5)将软模板通过真空压力，垂直吸附在感光胶上表面，在平行光照中进行曝光；6)曝光后的硅片经前烘干，然后用显影液显影，最后经后烘干；7)采用等离子刻蚀或湿法刻蚀，即得硅衬底微纳陷光结构。采用本发明方法制备的微纳米级织构结构可降低硅衬底表面的反射，织构结构为亚微米或纳米级、大小均匀、按照一定方式排列，形状可控，用以晶硅为衬底的太阳能电池，可增加太阳能电池对太阳光的吸收和利用。