一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111041994.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113801394A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113801394A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | C08L23/08（2006.01）I;C08L67/02（2006.01）I;C08L83/08（2006.01）I;C08L33/16（2006.01）I;C08K3/30（2006.01）I;C08K3/04（2006.01）I;C08K5/41（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 王翔宇;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 安徽一星新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京翔石知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 薛晓军 |
| 地址 | 231400安徽省安庆市桐城经济技术开发区北三路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于ETFE薄膜领域，公开了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：1）按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份。本发明通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本发明的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本发明的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。 |
