晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质
基本信息
申请号 | CN202110727814.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113463184A | 公开(公告)日 | 2021-10-01 |
申请公布号 | CN113463184A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
分类号 | C30B15/26(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 张建成 | 申请(专利权)人 | 西门子(中国)有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 100102北京市朝阳区望京中环南路7号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质,该方法包括:获取晶体需要生长到的目标直径;实时采集晶体在生长过程中的实际直径;将目标直径和实际直径作为PID控制的输入,得到PID输出值;根据目标直径和实际直径,确定速度计算公式;根据PID输出值以及速度计算公式,计算晶体的提升速度;根据提升速度,对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。 |
