晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质

基本信息

申请号 CN202110727814.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113463184A 公开(公告)日 2021-10-01
申请公布号 CN113463184A 申请公布日 2021-10-01
分类号 C30B15/26(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张建成 申请(专利权)人 西门子(中国)有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100102北京市朝阳区望京中环南路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质,该方法包括:获取晶体需要生长到的目标直径;实时采集晶体在生长过程中的实际直径;将目标直径和实际直径作为PID控制的输入,得到PID输出值;根据目标直径和实际直径,确定速度计算公式;根据PID输出值以及速度计算公式,计算晶体的提升速度;根据提升速度,对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。