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一种提高测试电阻效率的半导体晶圆凸块

基本信息

申请号 CN202121999016.X 申请日 -
公开（公告）号 CN215813164U 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN215813164U 申请公布日 2022-02-11
分类号 G01R31/26（2014.01）I;G01R27/02（2006.01）I;G01R1/067（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 张乔栋;张子运;杨萱 申请（专利权）人 江苏纳沛斯半导体有限公司
代理机构 北京喆翙知识产权代理有限公司 代理人 韦海英
地址 223001江苏省淮安市工业园区发展西道18号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种提高测试电阻效率的半导体晶圆凸块，包括晶圆，所述晶圆由具有完整芯片结构的主片区和不完整芯片结构的废片区构成，所述废片区沿主片区四周均匀分布，所述废片区左右两侧设置有检测片区，所述检测片区由均可与试电笔接触的一号测试片、二号测试片、三号测试片和四号测试片构成。本装置通过设置了检测片区，检测片区设置在晶圆的两侧并且还设置在了废片区上，这样可以不影响晶圆的正常生产就达到检测的效果，同时检测片区还分成不同大小的可拆卸片区，让不同的检测笔都能稳定的贴合晶圆的两侧，同时还能适配不同尺寸的检测笔，提高了晶圆的适配性，保持了检测过程中的稳定性，提高了检测电阻的效率。