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一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备

基本信息

申请号 CN202111372695.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114059172A 公开（公告）日 2022-02-18
申请公布号 CN114059172A 申请公布日 2022-02-18
分类号 C30B35/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张子运;吴海亮;胡祥祥;谢曙阳 申请（专利权）人 江苏纳沛斯半导体有限公司
代理机构 南京文宸知识产权代理有限公司 代理人 贾珍珠
地址 223002江苏省淮安市淮安工业园区发展西道18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，涉及硅晶体制造设备技术领域，包括壳体，壳体顶部设置有进料组件，壳体内部设置有溶解腔，壳体一侧固定连接有电动伸缩缸，溶解腔中设置有连接板，电动伸缩缸的端部贯穿壳体并与连接板固定连接，连接板上固定连接有搅拌组件，壳体底部固定开设有出料口，出料口上设置有过滤组件，过滤组件下方设置有排料箱，排料箱底部固定连接有排料阀，溶解腔与出料口连通，出料口与排料箱连通，溶解腔内壁固定连接有支撑板，支撑板中固定连接有转轴，转轴上转动连接有转筒，转筒与转轴之间设置有卷簧，本发明溶解效率高、下料流畅，出料稳定。