一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201710772913.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107868979B | 公开（公告）日 | 2020-05-22 |
| 申请公布号 | CN107868979B | 申请公布日 | 2020-05-22 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B15/22 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘丁;段伟锋;张新雨 | 申请（专利权）人 | 西安芯磁智能科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 韩玙 |
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，首先依据常规硅单晶控制结构中热场温度和晶体直径数据，辨识热场温度‑晶体直径过程的非线性大滞后预测模型，其中预测模型中的时滞参数，输入输出阶次及模型参数分别通过输出相关性时滞确定算法、利普希茨商及训练栈式稀疏自动编码器获得，然后将栈式稀疏自动编码器作为预测模型引入到非线性广义预测控制算法中，通过预测控制算法中的预测模型，反馈校正，滚动优化等策略实现晶体直径控制，解决了现有硅单晶直径控制过程因晶体提拉速度的剧烈波动而出现的控制效果变差，甚至导致控制失效的问题。 |
