光电阵列器件平面化接地方法
基本信息
| 申请号 | CN201210596279.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103227119A | 公开（公告）日 | 2013-07-31 |
| 申请公布号 | CN103227119A | 申请公布日 | 2013-07-31 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄寓洋;塞万·拉方波罗塞;刘惠春 | 申请（专利权）人 | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214122 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种光电阵列器件平面化接地方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；(4)淀积金属电极层；(5)淀积互联金属；(6)进行两个芯片的倒装互联，形成电学连接。本发明通过在下接触电极处形成缓坡台面，将金属沉积在缓坡上，从而将下接触电极引至台面上，实现正负电极位于同一平面上，有利于后续的倒装互联。 |
