量子阱红外探测器
基本信息
| 申请号 | CN201020187207.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201699035U | 公开（公告）日 | 2011-01-05 |
| 申请公布号 | CN201699035U | 申请公布日 | 2011-01-05 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘燕君 | 申请（专利权）人 | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 | 代理人 | 王法男 |
| 地址 | 214122 江苏省无锡滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种量子阱红外探测器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，利用MBE或者MOCVD技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本实用新型的量子阱结构GaAs势阱层的厚度为所述AlxGa1-xAs势垒层的厚度的15～20倍，多量子阱层一个周期的厚度为80～120nm，多量子阱层的周期数为15～20，使探测器能够在室温或者准室温状态工作，吸收系数达30％以上，实现了对暗电流的有效抑制，从而大大减小了器件噪声，探测率可达到或者接近理论极限值，响应速度高于1GHz，最高可达100GHz。 |
