半导体器件制备台面缓坡的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210596278.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103065941A | 公开（公告）日 | 2013-04-24 |
| 申请公布号 | CN103065941A | 申请公布日 | 2013-04-24 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 塞万·拉方波罗塞;黄寓洋 | 申请（专利权）人 | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214122 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制备台面缓坡的方法，包括如下步骤：(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上；(2)光刻胶回流，在光刻胶边缘形成缓坡；(3)用干法刻蚀，将缓坡形状转移至晶圆或芯片上；(4)去除光刻胶，在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。本发明可以解决目前通用的使用湿法刻蚀方法带来的侧蚀严重，不易控制的问题，实现对台面缓坡的角度、刻蚀深度的良好控制，从而有效提高半导体器件的性能和成品率。 |
