量子阱红外探测器

基本信息

申请号 CN201010130063.0 申请日 -
公开(公告)号 CN102201482A 公开(公告)日 2011-09-28
申请公布号 CN102201482A 申请公布日 2011-09-28
分类号 H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘惠春;杨耀 申请(专利权)人 无锡沃浦光电传感科技有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 郑玮
地址 214122 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号9号楼10楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种量子阱红外探测器,采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系,利用MBE或者MOCVD技术生长,通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构具有特定的结构参数,势阱的硅杂质掺杂浓度高于1×1012cm-2,使探测器能够在室温或者准室温状态工作,吸收系数达30%以上,实现了对暗电流的有效抑制,从而大大减小了器件噪声,探测率可达到或者接近理论极限值,响应速度高于1GHz,最高可达100GHz。