双面抛光钼基板及其制备方法和在LED发光芯片中的应用
基本信息
| 申请号 | CN202011160186.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112454160A | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN112454160A | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | B24B49/16(2006.01)I;B24B37/08(2012.01)I;B24B37/28(2012.01)I;B24B49/00(2012.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 俞叶;居海波 | 申请（专利权）人 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 马晓敏 |
| 地址 | 214200江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶瓷产业区湖光西路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及双面抛光钼基板及其制备方法和在LED发光芯片中的应用，包括如下步骤：钼板材经过冷轧、冷冲工序，冲制出相应规格的钼片；将所述钼片两端夹平且竖直摆放后，在氢气气氛下进行退火；对退火后的所述钼片的两个表面均进行研磨，研磨完成后进行超声波清洗去污；对经过双面研磨的所述钼片的两个表面进行双面抛光，抛光完成后进行超声波清洗去污，即得到双面抛光钼基板，质检后包装出库；所述钼基板为表面镜面且表面粗糙度≤0.03μm。本发明方法制得的双面抛光钼基板应用于在LED发光芯片衬底。本发明方法制备的钼衬底可替代蓝宝石等材料的衬底，表面粗糙度达到镜面光洁度，且成本低，作为LED发光芯片衬底具有较好的散热性。 |
