钼圆PVD磁控溅射镀膜方法
基本信息
| 申请号 | CN201910724611.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110551983A | 公开（公告）日 | 2019-12-10 |
| 申请公布号 | CN110551983A | 申请公布日 | 2019-12-10 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）; C23C14/54（2006.01）; C23C14/02（2006.01） | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 高敏杰; 詹晓北; 吴剑荣; 李志涛; 俞叶; 赵占平 | 申请（专利权）人 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 |
| 代理机构 | 无锡大扬专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨青 |
| 地址 | 214200 江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶瓷产业园区湖光西路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于钼圆片生产技术领域，具体涉及钼圆PVD磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：（1）钼圆在镀膜前被加热到100℃～150℃；（2）用高频等离子轰击钼圆片表面，对钼圆表面所吸附的杂质做进一步清除；（3）再开始用磁控溅射的方法在钼圆表面镀膜。本发明提供的钼圆PVD磁控溅射镀膜方法，既能保证镀制薄膜层的致密性，减少膜的厚度，并且达到较小的薄膜应力，不易开裂。 |
