具有双屏蔽结构的SGTMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202122591526.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216120306U | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN216120306U | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖巍 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种具有双屏蔽结构的SGTMOS器件，在N型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区上开设有沟槽，在对应沟槽的下端部外侧的N型漂移区内设有P型屏蔽层，在沟槽的下段侧面与底面设有屏蔽栅氧化层，在屏蔽栅氧化层内设有屏蔽栅多晶硅，在屏蔽栅多晶硅的上方两侧各设一个呈沟槽型的栅极氧化层，在栅极氧化层内以及两个栅极氧化层之间均设有栅极导电多晶硅；在N型漂移区上设有P型体区，在P型体区上设有N型源区，在N型源区上设有正面金属，正面金属通过正面金属接触柱与P型体区连接。本实用新型具有两种电场屏蔽结构，本实用新基本消除了脖颈电阻并减小了N型漂移区电阻。 |
