一种多次外延的超结器件制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811529741.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109686781B | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN109686781B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛璐;许高潮;张海涛 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种多次外延的超结器件制作方法，通过在衬底上生长多层外延层，每层外延层均进行普遍注入第二导电类型杂质和选择性注入第一导电类型杂质，然后高温推阱，形成多次外延的超结结构；本发明通过淀积外延+P型离子普注+选择性注入N型离子+高温推阱替代现有的淀积外延+N型离子普注+选择性注入P型离子+高温推阱，使得形成的P型柱间的间距增大（即N型柱的宽度增大），从而正向导通时N型外延层能够存储的多数载流子浓度更大，反向恢复时时间更长，增大了反向恢复软度，改善了di/dt、dv/dt动态参数特性。 |
