超结SGT MOS功率半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202022677174.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213184293U | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN213184293U | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖巍;张海涛 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种超结SGTMOS功率半导体器件结构，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型第一外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、第一导电类型源区，从第一导电类型源区的上表面向下开设有沟槽，在沟槽内设有栅氧化层，在栅氧化层内设有栅极导电多晶硅与屏蔽栅多晶硅，在第一导电类型源区、栅极导电多晶硅与栅氧化层上设有绝缘介质层，在绝缘介质层上设有源极金属；在第一导电类型第二外延层内设有第二导电类型柱，相邻第二导电类型柱之间设有第一导电类型柱，且第二导电类型柱深入到第一导电类型第一外延层内。本实用新型能在实现低的阈值、低导通电阻的情况下承受更高的耐压以及更加广泛的安全工作范围。 |
