多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT
基本信息
| 申请号 | CN202023298447.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213845279U | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN213845279U | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖巍;张海涛 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法，它包括它包括第二导电类型集电极、第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型柱、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型发射极、绝缘介质层、发射极金属、屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板、栅极氧化层与栅极导电多晶硅。本实用新型可调节器件的电场分布，实现在低的阈值下有更有效的饱和电流，提高开关速度，降低开关损耗，实现更加稳定的安全工作区域。 |
