低导通压降的载流子存储型FS-IGBT及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110019615.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750893A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112750893A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 史志扬;张海涛 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低导通压降的载流子存储型FS‑IGBT，在N‑型衬底上开设沟槽，在沟槽内设置屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极氧化层与栅极导电多晶硅；在N‑型衬底的正面形成N+型载流子存储层，在N+型载流子存储层的正面形成P‑型体区，在P‑型体区的正面形成N+型发射极，在N+型发射极的正面设置绝缘介质层，在绝缘介质层的正面设置发射极金属；在N‑型衬底的背面设置N+型缓冲层，在N+型缓冲层的背面设置P+型集电极。本发明降低了导通压降，同时降低了反馈电容，改善了器件工作时的导通损耗，最终在一定程度上降低了开关损耗。 |
