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平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件

基本信息

申请号	CN202122537515.3	申请日	-
公开（公告）号	CN216120305U	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN216120305U	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	姜鹏	申请（专利权）人	无锡紫光微电子有限公司
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹祖良;涂三民
地址	214135江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件，在N+型衬底的下方设有漏极接触金属，在N+型衬底的上方设有N‑型漂移区，在N‑型漂移区的中部上方设有第一P‑型基区，在第一P‑型基区的两侧上方设有第一N+型源区，在N‑型漂移区的两侧上方设有第二P‑型基区，在第二P‑型基区的上方中部设有第二N+型源区，且第一P‑型基区位于第二P‑型基区的上方，在第二P‑型基区与第二N+型源区的上方设有绝缘介质，绝缘介质部分覆盖第二P‑型基区与第二N+型源区，在绝缘介质的内部设有栅极接触金属。本实用新型在外延一定的条件下，提升了器件的电流密度，降低了导通电阻以及降低了反向传输电容Crss，使得器件应用更可靠，导通损耗更低。