具有低导通电阻的超结MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN202120079075.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214753770U | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN214753770U | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜鹏;张海涛 | 申请（专利权）人 | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种具有低导通电阻的超结MOSFET，在N型衬底的正面设置N型外延层，在N型外延层的正面向下开设有沟槽，在沟槽内填充P型柱，在P型柱的上端设置P型体区，在P型体区内设置N型源区，在N型外延层的正面设置屏蔽栅氧化层，在屏蔽栅氧化层的正面设置屏蔽栅多晶硅，在屏蔽栅多晶硅的正面设置绝缘介质层，在绝缘介质层的正面设置发射极金属，发射极金属通过接触柱与P型体区以及N型源区欧姆接触。本实用新型通过缩短推进时间来实现更短的P型体区的宽度，从而得到更低的沟道电阻，进而实现了更低的导通电阻，使得MOSFET性能更加优异。 |
