单层多晶嵌入式非挥发存储单元、存储阵列及其工作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111462132.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113870927B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN113870927B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | G11C16/04（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I;G11C16/14（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 高瑞彬;许军;李真 | 申请（专利权）人 | 苏州贝克微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛异荣 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区科技城济慈路150号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种单层多晶嵌入式非挥发存储单元、存储阵列及其工作方法，存储单元包括：第一控制管、第一隧穿管、第一反相器、第二控制管、第二隧穿管、第二反相器、双稳态单元和读出结构，第一反相器包括类型相反的第一子晶体管和第二子晶体管，第二反相器包括类型相反的第三子晶体管和第四子晶体管。所述存储单元的可靠性得到提高。 |
