基于半导体镀纳米介孔金属薄膜结构及太赫兹波增强系统
基本信息
| 申请号 | CN201811418365.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109557042B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN109557042B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | G01N21/3586（2014.01）I;H01S1/02（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 曾和平;南君义;李敏;张玲 | 申请（专利权）人 | 广东朗研科技有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 刘克宽 |
| 地址 | 523808广东省东莞市松山湖高新区工业北路中小科技企业创业园第四栋1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种增强场太赫兹波辐射的纳米介孔金属薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：先制备出含有至少两种金属元素的合金薄膜，然后在一定条件下将其中至少一种金属元素经化学反应蚀出，得到表面粗糙、内部含有大量纳米介孔的金属薄膜，然后将该表面粗糙、内部含有大量纳米介孔的金属薄膜镀覆到半导体衬底的表面。通过该方法制得的纳米介孔金属薄膜结构，能从根本上提高太赫兹波的能量上限，从而获得强场太赫兹波。 |
