多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610143309.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105762275A | 公开（公告）日 | 2016-07-13 |
| 申请公布号 | CN105762275A | 申请公布日 | 2016-07-13 |
| 分类号 | H01L43/10;H01L43/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 叶建国;叶钊赫;苗君;邵飞 | 申请（专利权）人 | 唐山市盛泰建筑安装有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 063100 河北省唐山市古冶区经济开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种多铁/压电复合结构，包括：基片；位于所述基片上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于所述底电极层上的压电层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层；其中，多铁薄膜层与相邻的压电层彼此接触且一起形成三明治结构。本发明提供的多铁/压电复合结构利用压电层与低温多铁材料形成的多铁薄膜层的相似结构形成界面效应与交换耦合，进而导致在低温环境如南极、太空探索等环境下多铁薄膜的性能提高，大大提高了多铁材料诸如YMnO3在铁电存储方面的应用，从而满足人们在低温环境下对硬盘快速写入读出，计算机非易失性存储，及器件小型化多功能化的需求。 |
