一种理想二极管装置
基本信息
申请号 | CN202021733720.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN213027981U | 公开(公告)日 | 2021-04-20 |
申请公布号 | CN213027981U | 申请公布日 | 2021-04-20 |
分类号 | H02H11/00(2006.01)I;G01R19/25(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H03K17/74(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 陈猛;党权;岳雪 | 申请(专利权)人 | 沈阳吕尚科技有限公司 |
代理机构 | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张玉甫 |
地址 | 110013辽宁省沈阳市中国(辽宁)自由贸易试验区沈阳片区全运路109-1号2层247-11724室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种理想二极管装置,属于二极管技术领域,包括反接防倒灌电路、IIC通信模块、测量电压电流检测电路、电压隔离模块电路,所述反接防倒灌电路中2路P沟道MOS管SE100P60A并联,2路并联P沟道MOS管SE100P60A与2路并联的N沟道MOS管SE150180G进行串联;LTC4359芯片与ZMM12稳压二极管并联控制2路N沟道MOS管SE150180G。该装置具有防止倒灌功能,可以保护前级电路;具有电源防反接功能,可以保护电源反接带来的危害;具有IIC通讯电源电压电流测量功能,可以通过IIC总线了解每一通道的电压电流;具有两个通道可以一起分功能使用。 |
