一种理想二极管装置

基本信息

申请号 CN202021733720.6 申请日 -
公开(公告)号 CN213027981U 公开(公告)日 2021-04-20
申请公布号 CN213027981U 申请公布日 2021-04-20
分类号 H02H11/00(2006.01)I;G01R19/25(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H03K17/74(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 陈猛;党权;岳雪 申请(专利权)人 沈阳吕尚科技有限公司
代理机构 沈阳利泰专利商标代理有限公司 代理人 张玉甫
地址 110013辽宁省沈阳市中国(辽宁)自由贸易试验区沈阳片区全运路109-1号2层247-11724室
法律状态 -

摘要

摘要 一种理想二极管装置,属于二极管技术领域,包括反接防倒灌电路、IIC通信模块、测量电压电流检测电路、电压隔离模块电路,所述反接防倒灌电路中2路P沟道MOS管SE100P60A并联,2路并联P沟道MOS管SE100P60A与2路并联的N沟道MOS管SE150180G进行串联;LTC4359芯片与ZMM12稳压二极管并联控制2路N沟道MOS管SE150180G。该装置具有防止倒灌功能,可以保护前级电路;具有电源防反接功能,可以保护电源反接带来的危害;具有IIC通讯电源电压电流测量功能,可以通过IIC总线了解每一通道的电压电流;具有两个通道可以一起分功能使用。