光刻方法
基本信息
| 申请号 | CN201810994609.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110865520B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110865520B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | G03F9/00（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 黄涛 | 申请（专利权）人 | 晶能光电股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种光刻方法，包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成光刻胶层；基于光刻板表面的对位标记将半导体晶圆与光刻板对齐，所述光刻板中还包括一用于隔离图形区域和非图形区域的标记位；对半导体晶圆表面的光刻胶层进行曝光和显影，以图形化所述光刻胶层。在光刻的过程中，通过该标记位将处于晶圆边缘的非图形区域中的光刻胶与图形区域隔离，保证晶圆最外圈图形的一致性，提升产品良率。 |
