反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN202120117254.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214313231U | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN214313231U | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 封波;彭翔;金力 | 申请（专利权）人 | 晶能光电股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片，其中，反射结构中包括：金属反射层及设置于金属反射层表面由介电材料形成的介电反射层，介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔，且介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层上表面均设置有透明导电层。解决介电材料接触区域电流无法流经的问题，使得制备得到的LED芯片中电流扩散更均匀，且具有更高的光提取效率。 |
