倒装LED芯片
基本信息
申请号 | CN202120117251.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN214313229U | 公开(公告)日 | 2021-09-28 |
申请公布号 | CN214313229U | 申请公布日 | 2021-09-28 |
分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 彭翔;金力;封波 | 申请(专利权)人 | 晶能光电股份有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 330096江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型提供了一种倒装LED芯片,包括:生长衬底;半导体多层结构,表面形成有发光区域和电极区域;电极区域表面设置有贯穿连接至n型半导体层的n电极;发光区域表面设置有:反射结构,包括介电反射层及金属反射层,介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔,且介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层与半导体多层结构的接触面之间均设置有透明导电层;绝缘层,设置于反射结构表面及发光区域结构侧壁;p电极,通过绝缘层的第二通孔导电连接至反射结构。解决金属反射层、介电反射层及发光材料之间的粘附性问题的同时,解决介电材料接触区域电流无法流经的问题。 |
