一种多容值芯片电容器
基本信息
| 申请号 | CN202120770352.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214705734U | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN214705734U | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | H01G4/30（2006.01）I;H01G4/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 熊珊;吴浩;彭高东;何培统;张浩天;席生 | 申请（专利权）人 | 广州创天电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市百拓共享专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘静 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区来安一街8号之一 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种多容值芯片电容器，包括一介质层，所述介质层的上侧面及与所述上侧面对应的下侧面分别形成有上金属层和下金属层，所述下金属层与所述上金属层均包括从所述介质层向外延伸依次设置的一TaN防扩散层、一TiW/Ti粘结层及一Ni阻隔层，所述上金属层远离所述介质层的一侧形成有不同容值的上电极，所述下金属层远离所述介质层的一侧形成有下电极。本实用新型通过将多容值电极集合设置在单介质层上，使单一电容器具备多电容值性能，解决现有技术中单电容器无法适应多电容值需要的问题。并通过结构、尺寸与性能的优配，使得到的多容值芯片电容器具备优良的性能，满足人们需求，实用性高。 |
