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一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法

基本信息

申请号 CN201611225353.7 申请日 -
公开（公告）号 CN106783467A 公开（公告）日 2017-05-31
申请公布号 CN106783467A 申请公布日 2017-05-31
分类号 H01J9/00(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I;H01J31/50(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王坤 申请（专利权）人 北京汉元一诺科技有限公司
代理机构 北京天江律师事务所 代理人 北京汉元一诺科技有限公司
地址 100041 北京市石景山区实兴大街30号院16号楼9层905
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法，首先将砷化镓晶片进行超声波清洗处理，然后镀铂导电层；将镀铂之后的砷化镓晶片再进行超声波清洗，与经过高温氧化处理的脉冲电源进行高频封接，形成封接件；再将依次经过清洗、镀荧光粉、高温定型的光纤倒像器与封接件进行激光焊接，进一步形成核心组件；核心组件与壳体封装后完成制作。本发明的生产环节为流程化控制，适合于批量生产，生产效率高；副反应的发生几率低，产品合格率高；使用的器件或设备均市场可购，不仅成本低，还有利于打破市场垄断；此外，本发明的使用寿命较长，可从一般像增强器的一万小时延长至三万小时。