一种高性能磁阻器件及制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201511028560.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105470276B | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN105470276B | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马可军;俞振中;郑律 | 申请（专利权）人 | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 江苏森尼克电子科技有限公司;浙江森尼克半导体有限公司 |
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能磁阻器件及制造工艺，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。 |
