一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件
基本信息
| 申请号 | CN201611115868.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106784304B | 公开（公告）日 | 2019-07-19 |
| 申请公布号 | CN106784304B | 申请公布日 | 2019-07-19 |
| 分类号 | H01L43/10;H01L43/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 俞振中;马可军;郑律 | 申请（专利权）人 | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 地址 | 311215 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区红垦农场红垦路83号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，采用In源、Sb源、In‑Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜，所述In‑Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。 |
