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一种用于InSb薄膜的退火装置

基本信息

申请号	CN201621339171.8	申请日	-
公开（公告）号	CN206204414U	公开（公告）日	2017-05-31
申请公布号	CN206204414U	申请公布日	2017-05-31
分类号	C23C14/58(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	马可军;俞振中;郑律	申请（专利权）人	江苏森尼克电子科技有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	孙仿卫;李萍
地址	215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室（森尼克）
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种用于InSb薄膜的退火装置，包括用于放置InSb薄膜的具有内腔的退火室、设置在所述退火室下方的下加热器，其特征在于：该退火装置还包括上加热器，所述上加热器可移动地设置在所述退火室的上方。所述退火室内具有多个分别用于放置InSb薄膜的样品放置区，多个所述样品放置区沿石英管纵向排列，所述上加热器可沿横向移动地设置在所述退火室的上方。优选地，所述上加热器包括沿与石英管平行延伸的加热棒，所述加热棒可沿横向移动地设置在所述退火室的上方。下加热器对InSb薄膜进行基础加热，使InSb薄膜的温度升至480℃左右，加之可移动的上加热器可严格控制InSb薄膜温度；结晶方向一致，结晶状态好控制，有利于改进杂质分布，工艺容易控制。