集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

基本信息

申请号	CN202110500062.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113241309A	公开（公告）日	2021-08-10
申请公布号	CN113241309A	申请公布日	2021-08-10
分类号	H01L21/66（2006.01）I;B07C5/344（2006.01）I;G06F30/367（2020.01）I;G06F30/392（2020.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	柳林;胡志富;何美林;何锐聪;刘亚男;彭志农;徐敏	申请（专利权）人	河北雄安太芯电子科技有限公司
代理机构	河北冀华知识产权代理有限公司	代理人	王占华
地址	071000河北省保定市容城县容城镇影院路1号B区201室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其制备方法，所述电路结构包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路，所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。本申请所述太赫兹单片电路结构将射频测试压点设计到单片电路结构上，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。