一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810750083.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108878423B | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN108878423B | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | H01L27/095(2006.01)I;H01L21/8258(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘新科;胡聪;王佳乐 | 申请（专利权）人 | 贵溪穿越光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳大学 |
| 地址 | 518060广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该组合功率器件包括设置在同一衬底上的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极、肖特基接触电极。该组合功率器件中的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管设置于同一衬底上，即该组合功率器件不仅具有异质结场效应晶体管大击穿电场、高电子饱和速率、抗辐射能力强及良好的化学稳定性等特点，还具有二维材料晶体管的高能效、可运用于柔性屏，高分辨率液晶显示器和有机发光二极管显示器等领域的特点，因此本发明提供的组合功率器件具有更广的应用范围。 |
