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一种半导体和二维材料的组合功率器件的制备方法

基本信息

申请号 CN201810750082.X 申请日 -
公开（公告）号 CN108922890B 公开（公告）日 2018-11-30
申请公布号 CN108922890B 申请公布日 2018-11-30
分类号 H01L27/095(2006.01)I;H01L21/8258(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘新科;胡聪;王佳乐 申请（专利权）人 山西镓能半导体科技有限公司
代理机构 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） 代理人 深圳大学
地址 518060广东省深圳市南山区南海大道3688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该器件包括异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其两者具有同一衬底，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极，且在异于欧姆接触电极的位置设置有Al2O3薄膜，Al2O3薄膜上设置有肖特基接触电极。该组合功率器件的表面具有Al2O3薄膜，其具有厚度均匀性、无针孔、低缺陷密度、低应力等优势，这将有效降低器件的栅极泄露电流，同时该Al2O3薄膜具有高的介电常数及宽带隙，这将使组合功率器件拥有更高的击穿电压、更高的工作电流而具有更大的应用范围。