异质结场效应晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810628897.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108807530B | 公开（公告）日 | 2018-11-13 |
| 申请公布号 | CN108807530B | 申请公布日 | 2018-11-13 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘新科;王磊;敖金平 | 申请（专利权）人 | 山西镓能半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 袁文英 |
| 地址 | 518060广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种异质结场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极。该制备方法工艺简单，既可以避免p型氧化物被污染，又可以实现制备较高浓度的p型氧化物栅极，而且还能保证对GaN基异质结场效应晶体管阈值电压的正向调控能力，最终该异质结场效应晶体管的器件功率得到显著提高。 |
