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基于铁电栅介质的负电容二硫化钼晶体管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710743092.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107611033B 公开（公告）日 2020-03-20
申请公布号 CN107611033B 申请公布日 2020-03-20
分类号 H01L21/34;H01L21/44;H01L29/423;H01L29/78 分类 基本电气元件;
发明人 刘新科;刘强;俞文杰 申请（专利权）人 山西镓能半导体科技有限公司
代理机构 深圳市中科创为专利代理有限公司 代理人 深圳大学
地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于铁电栅介质的负电容二硫化钼晶体管及其制备方法，包括在SiO2衬底表面生长MoS2薄膜；在MoS2薄膜表面依次生长第一High‑K层、第一TiN层、铁电薄膜层、第二TiN层、第二High‑K层作为栅介质层；在栅介质层上生长第三TiN层、Ti/Au金属层，作为栅电极；在MoS2薄膜层上生长两Al金属，作为源电极和漏电极。本发明以TiN层包裹铁电栅介质薄膜层，金属TiN将铁电栅介质薄膜极化翻转产生的附加电场再平衡，均匀施加到MoS2薄膜层上，避免沟道中各点MoS2反型情况不同导致器件开启缓慢、亚阈值较大等情况，同时也避免High‑K层在点场强较大时，易出现点击穿的情况。